薄膜沉積(如CVD/ALD)是半導(dǎo)體制造的核心工藝之一,需定期使用NF?清潔腔室以去除沉積物。精確控制清潔終點(diǎn)至關(guān)重要:
傳統(tǒng)方法依賴(lài)經(jīng)驗(yàn)時(shí)間控制,但實(shí)際最佳清潔時(shí)間受沉積厚度、溫度、壓力等因素影響,且參數(shù)可能漂移。因此,多數(shù)工藝會(huì)延長(zhǎng)清潔時(shí)間以確保徹底清潔,但造成資源浪費(fèi)。
Johnson等(2004)提出通過(guò)監(jiān)測(cè)SiF?分壓確定清潔終點(diǎn)。紅外氣體傳感器因其高實(shí)時(shí)性和可靠性,已成為主流檢測(cè)手段。
NF?與沉積物反應(yīng)生成SiF?氣體,其分壓變化可反映清潔狀態(tài):
四方儀器作為國(guó)際領(lǐng)先的紅外氣體傳感器制造商,針對(duì)薄膜沉積設(shè)備清潔終點(diǎn)檢測(cè)需求,推出SiF?、WF6紅外氣體傳感器。